ÇAĞRILI
                            KONUŞMALAR
















































































Ç01


Electrochemical enzyme biosensors based on ion-sensitive field-effect transistors


Sergei V. Dzyadevych

Laboratory of Biomolecular Electronics, Institute of Molecular Biology and Genetics,
150 Zabolotnogo St., Kiev 03143, Ukraine


During recent decades there has been shown unprecedented interest in the development of analytical devices for the detection, quantification and monitoring of different biological and chemical compounds. The presentation is a review of own 20 years of research concerning the development of biosensors based on enzyme field effect transistors (ENFETs) for direct substrates or inhibitors analysis. The biosensors were designed by using immobilised enzymes and ion-selective field effect transistors. Highly specific, sensitive, simple, fast and cheap determination of different substances renders them as promising tools for needs of medicine, biotechnology, environmental control, agriculture and food industry.
The biosensors based on ion-sensitive field-effect transistors and direct enzyme analysis for quantitative determination of different substrates (glucose, urea, penicillin, formaldehyde, creatinine, etc.) have been developed and their laboratory prototypes were fabricated. Improvement of analytical characteristics of such biosensors may be achieved using differential mode of measurement; working solutions with different buffer concentrations and specific chemical agents; charged additional membranes; and genetically modified enzymes. These approaches allow one to decrease the effect of the buffer capacity influence on the sensor response in an aim to increase the sensitivity of the biosensors and to extend their dynamic ranges.
The biosensors for analysis of different toxic substances (organophosphorous pesticides, heavy metal ions, hypochlorite, glycoalkaloids, etc.) have been designed on the basis of reversible and/or irreversible enzyme inhibition effect(s). The conception of a multibiosensor for toxic substances based on the enzyme inhibition effect is developed. The respective advantages and disadvantages of developed biosensors as well as a possibility of practical application of such biosensors will be discussed.






Ç02


İki seviyeli kuantum sistemlerinin eş-evresizliğinde dolaşıklığın önemi


Zafer Gedik

Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi,Tuzla, İstanbul


Kuantum sistemlerinin eş-evresizliği (decoherence) hem kuramsal açıdan hem de büyük kuantum bilgisayarlarının inşa edilebilmesi nedeniyle uygulama yönünden önemli bir problemdir. Bu sunumda, iki ‘kubit’in (quantum bit = qubit) dolaşıklığının (entanglement) nasıl eş-evresiz hale geldiği bir spin modeli yardımıyla anlatılacak, ardından çevrenin, spin ve fonon banyolarının, dolaşıklığının önemi bir spin–bozon modeli kullanılarak izah edilecektir.






Ç03


From fundamental understanding to predicting new nanomaterials for high capacity hydrogen storage and fuel cell technologies


Taner Yıldırım <sup>1, 2

1</sup>National Institute of Standards and Technology, NCNR, Gaithersburg, MD 20899
²Department of Materials Science and Eng., University of Pennsylvania, Philadelphia, PA 19104


Developing safe, cost-effective, and practical means of storing hydrogen is crucial for the advancement of hydrogen and fuel-cell technologies. The current state-of-the-art is at an impasse in providing any materials that meet a storage capacity of 6 wt% or more required for practical applications. The main obstacles in hydrogen storage are slow kinetics, poor reversibility and high dehydrogenation temperatures for the chemical hydrides, and very low desorption temperatures/energies for the physisorption materials such as metal-organic frameworks (MOF). Recently we have proposed a novel concept to overcome these obstacles. From accurate quantum mechanical calculations, we show that light transition metals (TM) such as a Ti-atom affixed to several nanostructures such as nanotubes/C60 and small organic molecules strongly bind up to four hydrogen molecules. The first H₂ adsorption is dissociative with no energy barrier while other three adsorptions are molecular with significantly elongated H–H bonds. The metal-hydrogen interaction is found to be very unique, lying between chemi- and physisorption, with a binding energy of 0.4 eV compatible with room temperature desorption/absorption. At high Ti coverage it is possible to obtain nano-materials with storage capacity up to ~14 wt%. Simulations at high temperature indicate that such hybrid systems of transition metals affixed to nanostructures are quite stable and exhibit associative desorption upon heating, a requirement for reversible storage.


These results not only advance our fundamental understanding of dissociative adsorption of hydrogen on transition metals in nano-structures but also suggest new routes to better storage and catalyst materials. Finally, time permitted, we will discuss the possibility of dimerization, polymerization, and incorporation of the predicted TM-nanostuctures in nanoporous materials such as MOF to improve the life-cycle and kinetics of the predicted storage materials.


Acknowledgments: The work is done in close collaboration with S. Ciraci and E. Durgun (Bilkent), and W. Zhou (NIST) and J. Iniguez (Icmab, Spain).







Ç04


Optical properties of Si clusters and quantum dots


Serdar Öğüt

Department of Physics, University of Illinois at Chicago, Illinois, USA


For almost two decades now, there has been an increasing tendency to get excited about any research activity in condensed matter and materials physics with the word “nano” in it. Active research on the optical properties of silicon nanostructures is one good example. In this talk, I will present some of my previous and ongoing research in ab initio modeling of the optical properties of silicon nanostructures, such as hydrogenated silicon quantum dots up to a few nm in size and medium-size atomic Si_n (n = 20 – 28) clusters. I will argue, using various examples from these systems, that while “nano” typically presents rather interesting physics, most of this interesting physics can be understood in terms of bulk Si properties with the right boundary conditions.







Ç05


Diamagnetism and persistent Eddy currents in quantum Hall liquids


Çağlıyan Kurdak

Department of Physics, University of Michigan, Michigan, USA


Fractional Hall liquids are fascinating states of matter with unusual properties; their excitations are fractionally charged and obey fractional statistics. To explore such unusual properties of quantum Hall liquids, we fabricated single electron transistors, which are the most sensitive electrometers, on top of high quality two-dimensional electron gases with point contacts and etched antidotes. The resistance of the point contact–antidot constriction exhibits Aharonov–Bohm type oscillations as a function of magnetic field. At temperatures below 100 mK and at an integer filling fraction, the integer quantum Hall liquid is found to respond very slowly (~hours) to a changing magnetic field. During this slow response period, we monitored the motion of individual charges in and out of quantum Hall liquids using the single electron transistor. The slow response is found to be associated with the persistent Eddy currents in the quantum Hall liquids. I will discuss various theoretical implications of this finding, including nearly perfect diamagnetism in stacked quantum Hall liquids.

            
























                                 SÖZLÜ
                            SUNUMLAR











S01


(Yb_1–xGd_x)Ba₂Cu3O_7–δ süperiletkenlerinde aktivasyon enerjisinin, manyetik kuvvet sabitinin,

            sukrucelik@yahoo.com, turkke@hotmail.com, yanmaz@ktu.edu.tr


Katıhal tepkime yöntemi ile elde edilen Yb_1–xGd_xBa2Cu₃O_7–δ(x=0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, ve 1.0) polikristal seri örnekler, x-ışınları kırınımı desenleri kullanılarak örgü parametreleri hesaplandı. 70–100K sıcaklık aralığında, dirençleri farklı manyetik alanlar (0, 1, 2, 3, 4 Tesla) altında alansız soğutma sonrası ölçüldü. Arhenius aktivasyon enerji bağıntısı kullanılarak, serideki her örneğin aktivasyon enerjileri hesaplandı. Farklı manyetik alanlar altındaki aktivasyon enerjileri, enerjinin manyetik alana göre değişimi incelenerek aktivasyon enerjisinin manyetik alan kuvvet sabiti (n) belirlendi. c-örgü parametresi, aktivasyon enerjisi (0K’da) ve manyetik kuvvet sabitinin katkıya göre değişimleri incelendi. İncelemeler sonucunda, katkı miktarına göre aktivasyon enerjisinin ve manyetik alan kuvvet sabitinin değişimi c-örgü parametresinin değişimiyle orantılı olduğu görüldü.









S02


Pt_n (n=1–4) topaklarının stokiometrik ve indirgenmiş rutil TiO₂(110) yüzeylerinde büyüme eğilimi


Ersen Mete ^1,* ve Şinasi Ellialtıoğlu <sup>2

1</sup> Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi, Balıkesir 10145
² Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara 06531
        * emete@balikesir.edu.tr


Stokiometrik ve indirgenmiş rutil TiO₂(110) yüzeyinde tutunmuş değerli-metal topaklarının, Pt_n (n=1–4), yapısal profilleri, yoğunluk fonksiyoneli kuramı hesaplarıyla çalışıldı. Bu çalışmada, genelleştirilmiş gradyan yaklaşımı ve izdüşümsel düzeltilmiş dalga yöntemi kullanıldı. İndirgenmiş yüzeyde Pt atomunun tutunma yerinin oksijen boşluğu nedeniyle stokiometrik yüzeye göre oldukça farklılaştığı görüldü. Bundan dolayı, küçük Pt parçacıklarının, yüzeyde büyüme eğilimi ve geometrik yapısı değişmektedir. Bu parçacıklar stokiometrik yüzeyde beş-bağlı Ti üzerinde kararlı yapılar oluştururken, indirgenmiş yüzeyde boşluk merkezli tutunmaktadırlar. Bunlara ek olarak, desteklenen Pt topakları ile alttaş arasındaki bağ etkileşiminin, bu topakların geometrisi ve yüzeyin elektronik yapısına etkisi tartışıldı.







S03


ZnO:Al filmlerinin yapısal ve yüzeysel özelliklerinin incelenmesi


Ferhunde Atay *, Vildan Bilgin, İdris Akyüz, ve Salih Köse

Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Eskişehir
fatay@ogu.edu.tr, vbilgin@ogu.edu.tr, iakyuz@ogu.edu.tr, skose@ogu.edu.tr


Bu çalışmada fotovoltaik güneş pillerinde yaygın uygulama potansiyeline sahip olan saydam iletken oksit grubuna ait ZnO:Al filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği ile 300±5 °C taban sıcaklığında çöktürülmüştür. Üretilen filmlerin yapısal ve yüzeysel özellikleri incelenmiş ve Al (%1–5) katkısının etkisi araştırılmıştır. Tüm filmlerin yapısal özelliklerini incelemek için x-ışını kırınım desenleri alınmıştır. Bu desenlerden filmlerin kristalleşme seviyeleri, tercihli yönelimleri, tane büyüklükleri ve makrogerilmeleri incelenmiştir. Tüm filmlerin yüzeysel özelliklerini incelemek ve elemental analizlerini yapabilmek için taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve enerji dağılımlı x-ışınları spektroskopisi (EDS) kullanılmıştır. SEM görüntülerinden filmlerin hemen hemen homojen bir yüzey dağılımına sahip oldukları ve Al katkısı ile filmlerin tabana daha iyi bir tutunma sergilediği belirlenmiştir. EDS analizlerinden de beklenilen tüm elementlerin katı filmler içerisinde var olduğu tespit edilmiştir. Tüm incelemeler sonucunda Al katkısının ZnO filmlerinin yapısal ve yüzeysel özellikleri üzerinde önemli bir etkiye sahip olduğu belirlenmiştir.



Anahtar Kelimeler: ZnO:Al, ultrasonik kimyasal püskürtme, XRD, SEM.








S04


Visible luminescence from Si and Ge nanocrystals in sapphire matrix by ion implantation


S. Yerci ¹, I. Yildiz ¹, A. Seyhan ¹, I. Dogan ¹, U. Serincan ¹, M. Kulakci ¹,
M. Shandalov ², Y. Golan ², and R. Turan <sup>1,*

1</sup> Middle East Technical University, 06531 Ankara, Turkey
² Ben–Gurion University of the Negev, Israel


Formation of Si and Ge nanocrystals by ion implantation in α-Al₂O₃ matrix has been studied. R-plane of α-Al₂O₃ substrates were implanted with 100-keV ⁶⁷Ge ions at doses of 5×10¹⁶ and 1×10¹⁷ cm^–2 and with ²⁸Si ions at doses of 1×10¹⁷ and 2×10¹⁷ cm^–2. Ge and Si implanted samples were subsequently annealed at temperatures of 600–800 ^oC in vacuum ambient for 1 h and 600–1100 oC in N₂ ambient for 2 h, respectively. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), MicroRaman, x-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM) methods were employed to observe the formation dynamics of the nanocrystals. TEM study reveals that Ge nanocrystals smaller than 10 nm were formed in the matrix. The observation of the typical Raman signal for Ge nanocrystals around 300 cm^–1 is used to monitor both the evolution of the nanocrystals and the stress between the nanocrystals and the surrounding crystalline sapphire matrix. The broadening in the XRD signals of Ge (111) with decreasing annealing temperatures is used as an evidence of the nanocrystal formation and used to calculate the nanocrystal sizes. On the other hand, nanocrystals with average sizes ranging between 3–7 nm were formed into the Al₂O₃ matrix. Raman spectroscopy was employed to show the nanocrystal formation and the evolution of the stress between the nanocrystals and the matrix. The chemical environment of the as-implanted and subsequently annealed samples was characterized with XPS. Finally, the origin of the observed visible emission from both Si and Ge implanted samples was discussed.






S05


Ni–Mn–Cr–Ga alaşımındaki artı ve eksi manyetokalorik etki


İ. Dinçer ve Y. Elerman

Fizik Mühendisliği Bölümü, Mühendislik Fakültesi, Ankara Üniversitesi,
Tandoğan, 06100 Ankara


Konvansiyonel soğutuculara alternatif olan manyetik soğutucularda soğutma tekniği manyetokalorik etkiye MKE dayandığı için, bu durum son yıllarda MKE gözlenen malzemelere olan ilgiyi giderek arttırmaktadır. MKE gözlenen bir grup ise, ferromanyetik Ni-Mn bazlı, Ni–Mn–Ga Heusler alaşımlarıdır. Geniş bir komposizyon bölgesinde, bu alaşımlar Austenit durumdan, Martensit duruma geçerler. Her bir durumda birbirinden farklı ferromanyetik etkileşme olur. Ni–Mn–Ga alaşımlarında, Martensit geçiş dar bir ısıl histerisisli birinci derece geçiştir ve manyetik alan uygulanması ile bu geçiş çevresinde MKE’ye neden olmaktadır [1, 2].

Bu çalışmada, Cr eklenmesinin Ni–Mn–Ga alaşımındaki MKE’ye etkisi incelenmektedir. Cr eklenmesi ile, T_M ve T_A geçiş sıcaklıklarında, sırasıyla 200 ve 210 K’den 190 ve 200 K’e bir azalma gözlenmektedir. Bu alaşımda, manyetik entropi değişimi ΔS, 1 T’lık manyetik alanda +2.8 J/kgK iken, 5 T’da +0.4 J/kgK’e kadar azalmaktadır. Yaklaşık olarak 1.2 T’lık manyetik alandan sonra manyetik entropi değişimi olan ΔS’ye eksi katkı gelmekte ve bunun sonucu olarak da toplam manyetik entropi değişimi ΔS azalmaktadır. Oldukça düşük manyetik alanlardaki yüksek manyetik entropi değişimi manyetik soğutucu teknolojisinde maliyetleri azaltacağından, bu tür alaşımlar manyetik soğutucu teknolojisi için en uygun adaylar arasına girmektedir [3].




[1] L. Pareti et al., Eur. Phys. J. B 32, 303 (2002).
[2] X. Zhou et al., J. Magn. Magn. Mater. 305, 372 (2006).
[3] I. Dincer ve Y. Elerman, (yayına hazırlanıyor).









S06


Thermal conductivity of solid and liquid phases in Cd–Zn binary eutectic alloys

B. Saatçi, H. Pamuk, S. Çimen, and M. Gündüz

Deparment of Physics, Erciyes University, 38039 Kayseri, Turkey

The thermal conductivity coefficient, K, is one of the main fundamental properties such as density, melting point, entropy, resistance, and crystal structure. One of the most common techniques for measuring the thermal conductivity of solids is the radial heat flow method. The radial heat flow method has some unique theoretical and practical advantages. It provides reliable results for K_S in a wide range of temperatures. Thermal conductivity of the solid can be obtained by using appropriate boundary conditions with Fourier’s law for cylindrical sample as



Where r₁ and r₂ are fixed distances from the centre of the sample, T₁ and T₂ are temperatures at the fixed positions r₁ and r₂, respectively. If Q, r₁, r₂, l , T₁ and T₂ can be accurately measured for the well characterized sample then reliable K_S values can be obtained.

In present work, the thermal conductivities of solid phases for K_S, for Cd-2.95 wt.% Zn and Cd-98.7 wt.% Zn binary alloys were measured to be 86 W/Km, 77 W/Km, respectively, with a radial heat flow apparatus. The thermal conductivity ratio, R, for liquid phase of C_E eutectic composition alloys at eutectic temperature is found to be 0.60 with Bridgmann type directional solidification apparatus. The results were compared with the other works.









S07


PtC bileşiğinin ab initio yöntemi ile bazı yapısal, elektronik ve elastik özelliklerinin incelenmesi


E. Deligoz*, Y. Ö. Çiftçi, ve K. Çolakoğlu

Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü


Bu çalışmada PtC bileşiğinin bazı yapısal, elektronik ve elastik özellikleri, SIESTA ve VASP program paketleri kullanılarak hesaplanmıştır. Hesaplamalarda LDA ve GGA yaklaşımları kullanılmıştır. Hesaplanan örgü sabiti, bulk modulu, bazı band özellikleri ve elastik sabitler diğer teorik çalışmalar ile karşılaştırılmış ve bulunan sonuçların bu çalışmalar ile uyum içinde olduğu gözlenmiştir. Elastik sabitlerin basınç altında değişimi, Debye sıcaklığının hesaplanması ilk defa bu çalışmada incelenmiştir.










S08


Atom zincirlerinde spintronik özellikler


R. Tuğrul Senger

Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, 06800 Ankara


Kısaca spintronik olarak anılan ‘spin elektroniği’nin konusu, elektronların spin durumlarının da işlevsel olarak kullanıldığı fiziksel etkiler, malzemeler ve yapılardır. Spintroniğin en bilinen uygulaması, katmanlı manyetik yapılarda gözlenen ‘dev manyetik-direnç’ etkisidir. Katmanların göreli manyetizasyon yönlerini değiştirerek yapının elektriksel direncinde belirgin değişim sağlanmaktadır. Benzeri spin bağımlı etkilerin moleküler boyutlarda gerçekleştirilmesi, nanometre ölçeğindeki yapıların manyetik özelliklerinin daha iyi anlaşılmasının yanında, elektronik aygıtların işlevsel birimlerinin gelecekte daha da küçültülebilmesi yönünde katkı sağlayacaktır.

Temel ilkelere dayalı, yoğunluk fonksiyoneli kuramı kullanarak yaptığımız hesaplar karbon ve 3d geçiş metallerinden oluşan atom zincirlerinin ilginç elektronik ve manyetik özellikler taşıdığını öngörmektedir. Bu bir boyutlu yapılar, Fermi seviyesindeki elektronların %100 spin kutuplaşması göstermesi nedeniyle ideal spintronik malzemeler olan ‘yarım-metal’ karakterindedir. Karbon zincirlerinin ucuna eklenen Cr, Co, Ti gibi atomlar zincir üzerinden dolaylı manyetik etkileşmeleriyle, kontrol edilebilir, dev manyetik-direnç benzeri, ‘spin-süzgeci’ etkisi göstermektedir. Konuşmada, bu atom zincirlerinin spintronik özellikleri, zincirdeki atom sayısının tek veya çift oluşuna bağlı olarak salınım gösteren nicelikler, ve bu salınımları açıklayan basit bir model sunulacaktır. 









S09


C_∞v kırılması altında egziton yoğuşması ve BEC–BCS geçişi


T. Hakioğlu

Fizik Bölümü, Bilkent Üniversitesi, 06800 Ankara


Elektron–deşik yoğuşması terslenmiş tabakalı kuvantum kuyularda sıfır sıcaklıkta ve zayıf spin–yörünge etkileşimi altında incelendi. Spin–yörünge ve electron–deşik Coulomb enerjileri gerçeğe uygun değerli elektrik alanları altında benzer genlikte bulunmaktadırlar. Bu nedenle spin–yörünge etkileşiminin elektron–deşik yoğuşmasındaki etkisinin gözlemlenebileceği düşünülmektedir. Düşük yoğunluklarda, elektron–deşik egzitonsal düzen parametresi momen-tumun kompleks bir fonksiyonu olup, faz dağılımı bölgelere dağılmış göreceli olarak yekdüzen (coherent) bir yapı içermektedir. Yüksek yoğunluklara doğru, momentum uzayının tamamını kapsayan bir yekdüzen yapıya geçilmektedir. Bu iki davranış arasındaki geçiş bölgesi egzitonsal BEC–BCS geçiş bölgesine denk gelmektedir.

Bakılan problem elektron–deşik değişimi altında değişmez değildir. Bu nedenle ayna simetrisi kırınımı altında yüzey üstüniletkenliğindeki problem ile önemli farklılıklar içermektedir. Bakılan problemde Kramer simetrisi bozulmamış olsada, elektron–deşik simetrisinin olmayışı nedeniyle C_∞v simetrisi bozulmuştur, dolayısı ile spin-soğurganlığının çapraz olmayan terimlerinin ölçülmesi ile kompleks egziton düzen parametresi ölçülebilmektedir.









S10


High temperature Schottky diode characteristics of ZnO


Emre Gür *, S. Tüzemen, and C. Coşkun

Ataturk University, Physics Department, 25240 Erzurum


Zinc oxide is a II–VI compound, wide and direct bandgap (3.37 eV at room temperature) semiconductor which is attracting much attention in the last decade because of their possible uses in ultra-violet and blue range optoelectronic devices, including lasers. Because of having high strength bond structure, ZnO is giving considerable interest in power devices such as Schottky diodes. In this study we showed that the Schottky diode characteristics of ZnO at the 200–500K temperature range. Al and Ag metallization were used for the ohmic and schottky contacts, respectively. Ag/ZnO/Al forward biased Schottky diode I–V characteristics gave the barier height as 0.82 eV and ideality factor as 1.55. The barrier height (0.57 eV) and Richardson constant (0.1987×10^–2 AK^–2cm^–2) were also calculated from the Richardson plot which shows nearly linear characteristics indicating that the thermionic emission is the dominant mechanism in charge transport. Temperature dependence of the barrier height is decreasing with increasing temperature while ideality factor almost remains constant in the temperature range 250–400K.






S11


Dynamic phase transition in the kinetic spin-3/2 Blume–Emery–Griffiths model: Phase diagram in the temperature and interaction parameters plane


Mustafa Keskin ¹, Bayram Deviren ^2,*, Osman Canko ¹, and Muharrem Kırak <sup>2

1</sup>Department of Physics, Erciyes University, 38039 Kayseri, Turkey
² Institute of Sciences, Erciyes University, 38039 Kayseri, Turkey


The dynamic phase transition (DPT) is one of the characteristic behaviors in nonequilibrium system at the presence of an oscillating external magnetic field and has attracted much attention recent years, theoretically [1]. Experimental evidences for the DPT have been found in magnetic systems [2]. In this work, the dynamic phase transitions are studied, within a mean-field approach, in the kinetic spin-3/2 Blume–Emery–Griffiths (BEG) model with arbitrary bilinear and biquadratic pair interactions in the presence of a time varying (sinusoidal) magnetic field by using the Glauber-type stochastic dynamics. The nature (first- or second-order) of the transition is characterized by investigating the behavior of the thermal variation of the dynamic order parameters. The dynamic phase transition points are obtained by investigating the behavior of the dynamic magnetization as a function of temperature and as well as calculating the Liapunov exponent. The phase diagrams are constructed in two different planes, namely in the reduced temperature and biquadratic interaction (k), (T, k), and found seven fundamental types of phase diagrams for both positive and negative values of crystal-field interaction (d), and magnetic field amplitude (h), and in the reduced temperature and crystal-field interaction plane, (T, d), and obtained ten distinct topologies for different values of k and h. Phase diagrams exhibit one, two or three dynamic tricritical points and a dynamic double critical end point, and besides a disordered and two ordered phases, seven coexistence phase regions exist in which strongly depend on the values of k, d, and h.

[1] M. Keskin, O. Canko, and U. Temizer, Phys. Rev. E 72, 036125 (2005); E. Machado, G. M. Buendía, P. A. Rikvold, and R. M. Ziff, Phys. Rev. E 71, 016120 (2005); M. Keskin, O. Canko, and B. Deviren, Phys. Rev. E 74, 011110 (2006); V. Popkov and J. Krug, Phys. Rev. B 73, 235430 (2006); A. Sen (De), U. Sen, and M. Lewenstein, Phys. Rev. B 72, 052319 (2006); O. Canko, B. Deviren, and M. Keskin, J. Phys.: Condens. Matter 18, 6635 (2006); T. Vojta and M. Y. Lee, Phys. Rev. Lett. 96, 035701 (2006).
[2] Q. Jiang, H. N. Yang, and G. C. Wang, Phys. Rev. B 52, 14911 (1995); W. Kleemann, T. Braun, J. Dec, and O. Petracic, Phase Trans. 78, 811 (2005); D. T. Robb, Y. H. Xu, O. Hellwing, A. Berger, M. A. Novotny, and P. A. Rikvold, American Physical Society Meeting, March 13–17, 2006, Baltimore, MD, USA (submitted to Phys. Rev. Lett.).



S12


AlGaN/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerin yapısal özellikleri


S. Çörekçi ^1,*, M. Çakmak ¹, S. Özçelik ¹, ve E. Özbay <sup>2

1</sup> Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, 06500 Ankara
² Nanoteknoloji Araştırma Merkezi, Bilkent Üniversitesi, 06800 Ankara


MOCVD tekniği ile büyütülen, yüksek elektron mobiliteli transistorlerin yapısal özelliklerine AlN ara tabakanın etkileri araştırıldı. XRD sonuçlarından, AlN ara tabakalı örneklerdeki AlGaN bariyerde strainin arttığı ölçülmüştür. GaN üst yüzey ve AlGaN ara yüzey pürüzlülüğünde de artış gözlenmiştir. AlN tabakanın olması durumunda yüzey pürüzlülük değerinin 0.41’den 2.95 nm’ye arttığı ölçülmüştür. AFM ölçümlerinden ise, GaN üst tabaka üzerindeki yüzey pürüzlülüğünde AlN ara tabakaya bağlı olarak anlamlı bir değişim gözlenmemiştir. Dislokasyon yoğunluğu 108 cm^–2 mertebesinde hesaplanmıştır.







S13


Dış manyetik alan varlığında dört boyutlu Ising modelinin